SiC基板上のグラフェン
プローブを介して励起と検出を行い、グラフェンの幅に応じて表面プラズモンの共振点を可視化するなどプラズモンの分散をイメージング。またゲートバイアスを印可しながら表面電位の変化に伴う分散の変化の様子も示す
引用先:J. Chen et al., Nature 487, p.77 (2012)
プローブを介して励起と検出を行い、グラフェンの幅に応じて表面プラズモンの共振点を可視化するなどプラズモンの分散をイメージング。またゲートバイアスを印可しながら表面電位の変化に伴う分散の変化の様子も示す
引用先:J. Chen et al., Nature 487, p.77 (2012)