65nm単一FETを測定し、赤外からテラヘルツ領域までキャリア濃度に応じて照射し、材質および自由キャリア 濃度のマッピング。Drudeモデルに基づき、キャリア濃度をより直接的に定量的に迫ることが可能 引用先：A. Huber et al., Nano Lett. 8, 3766 (2008)
